导读 研究小组开发了一种用于硒化锡基材料的新薄膜沉积工艺。该工艺采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 方法，能够在 200°C 的低温下在大...
研究小组开发了一种用于硒化锡基材料的新薄膜沉积工艺。该工艺采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 方法，能够在 200°C 的低温下在大晶圆表面沉积薄膜，实现卓越的精度和可扩展性。
该研究成果于2024年4月9日在线发表于Advanced Materials 。
MOCVD 是一种尖端技术，它利用气态前体以出色的精度进行化学反应，从而可以在半导体中使用的晶圆级材料上沉积薄膜。
得益于这种创新方法，该团队能够在晶圆单元上合成厚度均匀、厚度仅为几纳米的硒化锡材料(SnSe2 、SnSe)。
为了实现低温沉积，团队策略性地将配体分解和薄膜沉积的温度部分分开。通过调整锡和硒前体的比例以及携带前体的氩气的流量，他们能够精细地控制沉积过程，从而获得高结晶度、规则排列以及受控的薄膜相和厚度。
无论使用何种基材，这种先进的工艺都可以在约 200°C 的低温下均匀沉积薄膜，展示了其大规模用于各种电子应用的潜力。该团队成功地将这种方法应用于整个晶圆，在两种类型的硒化锡薄膜中保持了化学稳定性和高结晶度。
该研究小组由UNIST半导体材料与器件工程研究生院和材料科学与工程系的Joonki Suh教授领导，与中国科学院的Feng Ding教授、世宗大学的Sungkyu Kim教授合作大学和UNIST 的Changwook Jeong 教授。
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