导读 一项研究称为 Toll 样受体 4 或 TLR4 的免疫受体对正常和受伤大脑的记忆功能的影响，发现截然不同的细胞通路有助于受体对未受伤和受
一项研究称为 Toll 样受体 4 或 TLR4 的免疫受体对正常和受伤大脑的记忆功能的影响，发现截然不同的细胞通路有助于受体对未受伤和受伤大脑兴奋性的影响.
此外，研究人员还发现了 TLR4 如何调节正常未受伤大脑记忆功能的新机制。
这项在大鼠身上进行并发表在《大脑、行为和免疫》杂志上的研究有可能导致旨在限制脑损伤后记忆缺陷的治疗。
分子、细胞和系统生物学副教授 Viji Santhakumar 说：“记忆缺陷是脑损伤的主要长期不良后果，受伤后一天进行药物治疗以改善记忆功能具有重要的临床意义。”在加州大学河滨分校，他领导了这项研究。“Resatorvid 是一种批准用于其他疾病临床试验的药物，在我们的研究中有效地阻断了 TLR4 并改善了受伤后的记忆缺陷。”
大脑有神经元和称为胶质细胞的非神经元细胞。在正常大脑中，神经元的活动受到 TLR4 的抑制;在受伤的大脑中，TLR4 会增加神经元活动。具体来说，在脑损伤后，TLR4 会增加齿状回的兴奋性，这是一种参与海马体记忆处理的回路，海马体是在学习和记忆中起主要作用的大脑结构。
加州大学河滨分校领导的研究发现，只有神经元参与了 TLR4 介导的受损大脑兴奋性增加。相反，神经胶质细胞是 TLR4 介导的正常大脑兴奋性降低所必需的。
“我们发现在运动和交通事故中常见的脑震荡性脑损伤后一天抑制 TLR4 信号，可以降低兴奋性并改善一周到一个月后的工作记忆表现，”她说。“我们的数据显示，可以选择性地操纵脑损伤破坏性影响的潜在过程以进行治疗，并且可以在受伤后保留记忆功能。”
TLR4 究竟如何影响正常和受伤大脑的记忆功能尚不清楚。
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