导读 科学家发现，斯格明子(未来计算机内存的潜在位)现在可以以高达 900 m/s 的速度移动，反铁磁材料的使用促进了这一速度的显着提高。由 CN...
科学家发现，斯格明子(未来计算机内存的潜在位)现在可以以高达 900 m/s 的速度移动，反铁磁材料的使用促进了这一速度的显着提高。
由 CNRS 科学家领导的国际研究小组[1]发现，被称为斯格明子的磁性纳米气泡[2]可以通过电流移动，速度达到创纪录的 900 m/s。
这些纳米气泡预计将成为计算机内存中的未来比特，为电子设备中的信息处理提供增强的途径。它们的微小尺寸[3]提供了强大的计算和信息存储能力，以及低能耗。
到目前为止，这些纳米气泡的移动速度不超过 100 m/s，这对于计算应用来说太慢了。然而，由于使用反铁磁材料[4]作为介质，科学家们成功地使斯格明子的移动速度比之前观察到的快 10 倍。
这些结果发表在 3 月 19 日的《科学》杂志上，为开发更高性能和能耗更低的计算设备提供了新的前景。
这项研究是 1 月 29 日启动的 SPIN 国家研究计划[5]的一部分，该计划支持自旋电子学的创新研究，旨在帮助开发一个更加敏捷和持久的数字世界。
笔记
参与的法国实验室包括 SPINTEC(CEA/CNRS/格勒诺布尔阿尔卑斯大学)、尼尔研究所(CNRS)和查尔斯库仑实验室(CNRS/蒙彼利埃大学)。
斯格明子由基本的纳米磁体(“自旋”)组成，这些磁体缠绕形成高度稳定的螺旋结构，就像一个紧密的结。
斯格明子的大小可以达到几纳米，也就是说大约有十几个原子。
反铁磁堆栈由两个纳米尺寸的铁磁层(例如钴)组成，两个铁磁层被非磁性层隔开，具有相反的磁化强度。
SPIN优先研究计划和设备 (PEPR)是一项与法国 2030 年投资计划相关的探索性计划。
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