雪崩击穿和齐纳击穿的区别（雪崩击穿和齐纳击穿）

关于雪崩击穿和齐纳击穿的区别，雪崩击穿和齐纳击穿这个问题很多朋友还不知道，今天小六来为大家解答以上的问题，现在让我们一起来看看吧！

1、半导体工艺中，由高纯度的本征半导体进行掺杂，从而形成不同的形态。

2、如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体，若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。

3、空穴和电子都能搬运电荷，因而称载流子。

4、将两种形态的半导体相邻结合到一起，由于彼此所含电子和空穴数浓度不同，因而相互扩散，由浓度高的向浓度低的地方移动，电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失，以保持中性，这样形成一段没有载流子的空间，称为耗尽层。

5、耗尽层存在电位差，有电场的存在，称之为内电场。

6、在电场的作用下载流子发生定向移动，称之为漂移。

7、扩散使电场增加，空间电荷范围加大，而漂移则在减弱空间电荷范围。

8、这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构，称之为pn结。

9、pn结在没有外力的情况下，处于热平衡状态，这种平衡状态是处于动态之中的，即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。

10、pn结的外加电压，如果p端的电位高于n端的电位，这样的外电电场削弱了内电场，有利于多数载流子的扩散,形成从p流向n的电流，称为正向偏置，反之，载流子则几乎不发生移动，称为反向偏置。

11、反向电压大于某一值时，会有导致pn结击穿，称为齐纳击穿或隧道击穿。

12、另一种情况，是pn结两侧的杂质浓度过小，在高的反向电压作用下，引起价键的断裂，从而使电流成倍增加，称为电子雪崩现象或雪崩击穿。

13、pn结制作成元器件使用就是二极管。

14、pn结，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，在相遇处复合。

15、p区空穴扩散后留下负离子，而n区电子扩散后留下正离子，形成由n指向p的内电场。

16、正向偏置时，p区不断提供复合留下的负离子，n区则复合留下的正离子，使得内电场范围缩小，扩散运动大于漂移运动，平衡状态发生破坏，因而有电流的产生。

17、反向偏置，少数载流子的漂移处于优势，但因少数载流子浓度太低，引起的反向电流远小于正向电流。

18、所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。

19、半导体三极管，存在两个pn结，了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态，在发生什么变化。

20、 晶体管的制作要求，从浓度大小来看，发射区最大，集电区最小。

21、从尺寸看，集电区最大，基区最小。

22、如果条件不能满足，晶体管将无法工作。

本文分享完毕，希望对大家有所帮助。

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